12月10日，比亞迪在寧波發布了在車規級領域具有標桿性意義的IGBT4.0技術，再一次展示出其在電動車領域的領先地位。這一晚，比亞迪將IGBT這個長期游離于人們視野、但又堪稱電動車CPU的核心技術帶到了“聚光燈”下。
活動現場
比亞迪IGBT4.0晶圓
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。得益于在IGBT等核心技術領域的強大實力，比亞迪電動車的超凡性能得以落地并具備持續迭代升級的能力。
作為中國第一家實現車規級IGBT大規模量產、也是唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企，此次發布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優異的第三代半導體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。
比亞迪推出IGBT4.0，引領車規級功率半導體發展
IGBT屬于汽車功率半導體的一種，因設計門檻高、制造技術難、投資大，被業內稱為電動車核心技術的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術主要掌握在國際巨頭手中。
“比亞迪依靠自身強大的研發實力、人才的聚集、產業鏈的配套，在汽車功率半導體領域有了非常核心的突破，這個突破不是今天想，明天投入就能實現的，是積累了十多年的技術、人才和產業鏈才能實現的。”中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明在活動現場如此表示。
制造IGBT難度極大，在大規模應用的1200V車規級IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處于全球先進水平，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發絲直徑）。
經過10余年的技術積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動現場，中國電器工業協會電力電子分會秘書長蔚紅旗表示：“比亞迪在電動車功率半導體領域布局較早，而且真抓實干，在電動車功率半導體領域創造了領先，中國的電動車發展不用擔心被‘卡脖子’了。”
此次推出的比亞迪IGBT4.0，在諸多關鍵技術指標上都優于當前市場主流產品，例如：
1. 電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15%，支持整車具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。
2. 同等工況下，綜合損耗較當前市場主流的IGBT降低了約20%。這意味著電流通過IGBT器件時，受到的損耗降低，使得整車電耗顯著降低。以比亞迪全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，僅此一項技術，就成功將百公里電耗降低約3%。
3. 溫度循環壽命可以做到當前市場主流IGBT的10倍以上。這意味著比亞迪電動車在應對各種極端氣候、路況時，能有更高的可靠性和更長的使用壽命。此前，比亞迪電動車就以其優異的性能與穩定的可靠性，完成了從新疆吐魯番的高溫，到北歐的極寒、再到西藏高原的高海拔等全球最嚴苛自然環境的測試，并在全球300多個市場成功經歷了各種氣候、路況、駕駛習慣的考驗，得到廣泛認可。
厚積薄發，打造電動車性能標桿
在剛剛結束的2018廣州車展上，比亞迪全新一代唐EV正式對外預售。其百公里加速4.4秒、續航里程600公里（60km/小時等速續航下）的超強性能再度確立了行業領先地位，并獲得消費者的高度認可，預售當天的訂單便突破2000輛。
中國科學院院士、國家863“節能與新能源汽車”重大項目專家組組長歐陽明高曾評價，比亞迪全新一代唐“已經可以與世界上任何一家車企的電動汽車技術相較量，代表了當前電動汽車制造的最高水準”。
市場和行業的認可，離不開比亞迪IGBT等核心技術的加持。得益于比亞迪IGBT在芯片損耗、電流輸出能力等方面的優異性能，比亞迪插電式混合動力汽車，率先搭載了“542”黑科技——“百公里加速5秒以內、全時電四驅、百公里油耗2升以內”。
比亞迪全新一代唐EV的續航里程達600公里（60km/小時等速續航下）
從2015到2017年，比亞迪電動車的銷量已經連續三年位居全球第一。這與比亞迪在IGBT等核心技術領域的超前布局密不可分。
十多年前，在外界還不看好電動車前景的時候，“技術狂人”王傳福就默默布局了電動車的核心技術。作為2003年才進入汽車行業的新玩家，比亞迪從一開始就密切關注IGBT等電動車核心技術的自主研發和創新。
2005年，比亞迪組建自身研發團隊，投入重金布局IGBT產業。
2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，打破了國際巨頭的技術壟斷。
目前，比亞迪已經陸續掌握IGBT芯片設計和制造、模組設計和制造、大功率器件測試應用平臺、電源及電控等環節，是中國唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企。
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