比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定
比亞迪IGBT產品晶圓
提前布局SiC，比亞迪欲再度引領電動車變革
“馴服”了IGBT，比亞迪又將目光投向了更遠的未來。
雖然在未來較長一段時間內，IGBT仍將供不應求。但比亞迪也已預見到，隨著電動車性能不斷地提升，對功率半導體組件提出了更高的要求，當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料，已成為學界和業界的普遍共識。
據悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領域的應用。
第三代半導體材料SiC
比亞迪SiC晶圓
此次發布會上，比亞迪宣布，已經成功研發了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。
比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續航等性能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜?！?nbsp;
比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛分享比亞迪在汽車功率半導體領域的布局
以技術創新，助力中國汽車產業“再向上”
在過去相當長的時間里，IGBT的核心技術始終掌握在國外廠商手里，中高端IGBT市場90%的份額被國際巨頭壟斷，導致“一芯難求”，成為制約我國電動車行業健康、快速發展的主要瓶頸。
根據世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統計，2018年，車規級IGBT模塊的交貨周期最長已經達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018-2022年，全球電動車年復合增長率達30%，但同期車規級IGBT市場的年復合增長率僅為15.7%?？梢灶A見，未來幾年全球車規級IGBT市場的供應將愈加緊張。
在功率半導體等核心技術的加持下，比亞迪在過去的三年位居全球電動車銷量第一，并助推我國電動車行業高速發展——正是在這三年，我國電動車產銷量持續領跑全球、保有量全球占比達到50%。
十多年前，比亞迪打破國際巨頭對IGBT的技術壟斷，助力我國電動車的快速發展；今天，比亞迪推出了全新的車規級IGBT4.0，為我國汽車產業的換道超車，提供強大的“中國芯”。未來，伴隨著比亞迪SiC的推出與大規模應用，我國汽車產業的“再向上”將獲得新的助推力。
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